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FDP036N10A

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Produktcode: 94301
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP036N10A FDP036N10A UMW 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.8 EUR
100+4.65 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.8 EUR
100+4.56 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4084 Stücke:
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1+9.95 EUR
10+5.53 EUR
100+5.15 EUR
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FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.38 EUR
50+6.03 EUR
100+5.52 EUR
500+4.62 EUR
1000+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDP036N10A Fairchild/ON Semiconductor FDP036N10A_Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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FDP036N10A 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
FDP036N10A
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 2174 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
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1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+4.8 EUR
100+4.65 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+4.8 EUR
100+4.56 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
FDP036N10A
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4084 Stücke:
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1+9.95 EUR
10+5.53 EUR
100+5.15 EUR
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FDP036N10A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+11.38 EUR
50+6.03 EUR
100+5.52 EUR
500+4.62 EUR
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FDP036N10A 2907385.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDP036N10A FDP036N10A_Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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