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Technische Details FDP036N10A UMW
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDP036N10A nach Preis ab 3.42 EUR bis 16.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A Produktcode: 94301
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
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