Produkte > UMW > FDP036N10A
FDP036N10A

FDP036N10A UMW

5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP036N10A UMW

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote FDP036N10A nach Preis ab 3.42 EUR bis 16.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+5.25 EUR
50+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.50 EUR
28+5.28 EUR
37+3.77 EUR
100+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.50 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : onsemi / Fairchild FDP036N10A_D-1808428.pdf MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.47 EUR
10+9.17 EUR
25+5.42 EUR
100+4.95 EUR
250+4.84 EUR
500+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.36 EUR
10+14.09 EUR
100+12.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A
Produktcode: 94301
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : ON Semiconductor 4268339172223759fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A Hersteller : ONSEMI fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf FDP036N10A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A Hersteller : onsemi fdp036n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH