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FDP036N10A

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Produktcode: 94301
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8542 39 90 00
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.33 EUR
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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50+4.75 EUR
100+4.51 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ON Semiconductor fdp036n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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50+4.75 EUR
100+4.61 EUR
500+4.26 EUR
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FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
10+7.66 EUR
50+6.07 EUR
100+5.55 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A onsemi fdp036n10a-d.pdf MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+6.12 EUR
100+5.57 EUR
500+5.46 EUR
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FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.22 EUR
30+7.98 EUR
100+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 214A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDP036N10A Fairchild/ON Semiconductor FDP036N10A_Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+4.75 EUR
100+4.51 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDP036N10A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+4.75 EUR
100+4.61 EUR
500+4.26 EUR
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FDP036N10A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
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FDP036N10A
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDP036N10A 2907385.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 203 Stücke:
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18+14.22 EUR
30+7.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDP036N10A
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 214A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A_Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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