FDP036N10A ON Semiconductor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 3.77 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDP036N10A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP036N10A nach Preis ab 3.3 EUR bis 9.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDP036N10A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDP036N10A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FDP036N10A | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
 |
FDP036N10A Produktcode: 94301
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
8542 39 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||
|
|
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 89nC On-state resistance: 3.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 856A Drain current: 214A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 89nC On-state resistance: 3.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 856A Drain current: 214A |
Produkt ist nicht verfügbar |