FDP036N10A
Produktcode: 94301
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Hersteller:
8542 39 90 00
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDP036N10A | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Packaging: Tube |
auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25, Qg, нКл = 116 @ 10 В, Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220A Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
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FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 214A; Idm: 856A; 333W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 214A Pulsed drain current: 856A Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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