Produkte > FDP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| FDP-1000 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-14-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-1500 | Panasonic Industrial Automation | Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-1500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-16-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-16-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 16pos. DIP Plug .100 x .300 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-24-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-24-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 24pos. DIP Plug .100 x .600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-308-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 8 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-308-T | Adam Technologies | FDP-308-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-308-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-310-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 10 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-314-G | Adam Technologies | CONNECTOR, IDC DIP PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-314-SG | Adam Technologies | CONNECTOR, IDC DIP PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Technologies | FDP-314-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-314-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 14 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 1981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-314-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-316-SG | Adam Technologies | FDP-316-SG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-316-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 16 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-318-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-318-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 18 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-318-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-320-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 20 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-320-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-320-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-324-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-324-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 24 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-324-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-328-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 28 Row Spacing: 0.300" (7.62mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-328-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-328-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-334-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-40-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings 40pos. DIP Plug .100 x .600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Technologies | Flat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 138-142 Tag (e) |
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| FDP-624-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-624-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 24 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Number of Rows: 2 | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 28 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-628-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP-632-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-632-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 32 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-632-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-634-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Technologies | FDP-636-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-636-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P Packaging: Tray Features: Feed Through Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header Contact Finish: Tin Color: Black Mounting Type: Through Hole Number of Positions: 36 Row Spacing: 0.600" (15.24mm) Cable Termination: IDC Cable Pitch: 0.050" (1.27mm) Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm) Number of Rows: 2 | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-636-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-640-T | Adam Tech | Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-640-T | Adam Technologies | Conn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-640-T | Adam Tech | Description: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-N1000 | Panasonic Industrial Automation | Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-N1000 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP-N1500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP-N500 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM Packaging: Box For Use With/Related Products: FX-300 Series Accessory Type: Protective Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP01 | ECUGEN | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP020N06B | onsemi | FET 60V 1.5 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ONSEMI | FDP020N06B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V | auf Bestellung 1542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP020N06B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP022AN03LD0-EVAL | auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP023601-20 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP023N08B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B | Fairchild Semiconductor | Description: 75V N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B | onsemi | onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V | auf Bestellung 27404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP023N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m? | auf Bestellung 5868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP023N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 20529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ONSEMI | FDP023N08B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ONSEMI | FDP025N06 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP025N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP025N06 | ON Semiconductor | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP025N06 Produktcode: 189620
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP025N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B | onsemi | onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 Produktcode: 194545
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP027N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm | auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP027N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ONSEMI | FDP027N08B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP027N08B_F102 | onsemi | Description: FDP027N08B_F102 | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs NCH 60V 3.0Mohm | auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP030N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 138050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ONSEMI | FDP030N06B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO | auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP030N06B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08 | ONSEMI | FDP032N08 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench® MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench® MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B | onsemi | onsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V | auf Bestellung 4343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP032N08B-F102 | ONSEMI | FDP032N08B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP032N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP032N08_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Packaging: Tube | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP036N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ONSEMI | FDP036N10A THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP036N10A Produktcode: 94301
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Lieblingsprodukt
| 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP036N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP038AN06 | auf Bestellung 5863 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 Produktcode: 51728
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 6457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | auf Bestellung 8066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ONSEMI | FDP038AN06A0 THT N channel transistors | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP038AN06A0-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP038AN06A0-F102 | ON Semiconductor | N-Channel PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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| FDP039N08B | onsemi | onsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V Packaging: Bulk | auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP039N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode | auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP039N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V | auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ONSEMI | FDP039N08B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP039N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP040N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP040N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP045N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Packaging: Tube | auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F032 | ON Semiconductor | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F032 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F032 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | auf Bestellung 207190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ONSEMI | FDP045N10A-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP045N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP045N10AF102 | Fairchild Semiconductor | Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 Produktcode: 119329
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | auf Bestellung 1151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047AN08A0-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047AN08A0_NL | auf Bestellung 11629 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
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| FDP047AN08AO | FAIRCHILD | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP047AN08AO | FSC | 07+ QFP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N08 | ON Semiconductor | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | auf Bestellung 32191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N08 | ONSEMI | FDP047N08 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | Fairchild Semiconductor | Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N08-F10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 656A Case: TO220-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 116A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP047N08-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 656A Case: TO220-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 116A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP047N08-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT3 75V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | auf Bestellung 7979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N08V_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08V_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N08_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ONSEMI | FDP047N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 4791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | auf Bestellung 7475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP050AN06A0 | ONSEMI | FDP050AN06A0 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP050AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B | onsemi | FET 60V 5.0 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI | FDP053N08B-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Smart Power Module | auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V | auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP054N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V | auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP054N10 | ONSEMI | FDP054N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP054N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08 | auf Bestellung 5589 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI | FDP060AN08A0 THT N channel transistors | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 3907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V | auf Bestellung 8943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP060AN08A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI | FDP070AN06A0 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PwrTrench | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A | onsemi | FET 150V 7.5 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F032 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V NChan PwrTrench | auf Bestellung 3292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP075N15A_F102 Produktcode: 154614
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP075N15A_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NChan PwrTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP083N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | auf Bestellung 65251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP083N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP083N15A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 6905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ONSEMI | FDP085N10A-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP085N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | auf Bestellung 7076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP090N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench | auf Bestellung 8088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP090N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V | auf Bestellung 11831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP090N10 | ONSEMI | FDP090N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP090N10 | FAIRCHILD | TO-220 09+ | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP100N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP100N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP100N10 | ONSEMI | FDP100N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP10AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V | auf Bestellung 5110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP10AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP10N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP10N60NZ | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 10506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP120AN15A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120AN15A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | auf Bestellung 13998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N Chan 100V 12Mohm | auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP120N10 | ONSEMI | FDP120N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP12N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 165 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 165 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP12N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP12N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 23918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP13AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 23918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP13AN06A0 | auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | auf Bestellung 14481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | auf Bestellung 1024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP150N10 | ONSEMI | FDP150N10 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A | onsemi | onsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 Produktcode: 150159
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm | auf Bestellung 7845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP150N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP150N10A-F102 | ONSEMI | FDP150N10A-F102 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 4753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP15N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N50F102 | Fairchild Semiconductor | Description: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL , Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N65 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP15N65 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | auf Bestellung 10200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ONSEMI | FDP16AN08A0 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP16N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V | auf Bestellung 14108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP18N20F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP18N20F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N20F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 9921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 4807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 10571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP18N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 10571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP18N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP19N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET UniFET, 400V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP19N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP19N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP1XSZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP20N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC Pulsed drain current: 80A | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP20N50F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel | auf Bestellung 12702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP20N50F Produktcode: 190678
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP22N50N Produktcode: 60060
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP22N50N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 312.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 312.5 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP22N50N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP22N50N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP22N50N | onsemi / Fairchild | MOSFETs UniFETII 500V 22A | auf Bestellung 2614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP24AN06LA0 | Fairchild | auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP24N40 | FAIRCHIL | TO220 09+ | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP24N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP24N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench | auf Bestellung 10942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | auf Bestellung 2136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP2532 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 Produktcode: 44129
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-263AB Uds,V: 150 Idd,A: 79 Rds(on), Ohm: 0.016 JHGF: SMD ZCODE: 8541210090 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2552 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | auf Bestellung 1639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2552 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2552_NL | auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP2552_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2552_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2570 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2570 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2570_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A | auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2572 | FSC | 09+ TO220 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2572 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | FAIRCHIL | 09+ PLCC-44 | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2614 | ONSEMI | FDP2614 THT N channel transistors | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | auf Bestellung 13354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2614 | ON Semiconductor | auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP2614 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2670 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | auf Bestellung 6893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP26N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel | auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP26N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 265W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | ONSEMI | FDP26N40 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP26N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710 | ONSEMI | FDP2710 THT N channel transistors | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V NCHAN PwrTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP2710_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL , Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710_SN00168 | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2710_SW82258 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | onsemi / Fairchild | MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2D3N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ONSEMI | FDP2D3N10C THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D3N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V | auf Bestellung 153574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2D9N12C | ON Semiconductor | N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D9N12C | onsemi | Description: PTNG 120V N-FET TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2D9N12C | onsemi | MOSFETs PTNG 120V N-FET | auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP2XPZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP2XSZAM63R262X | CONEC | D-Sub Standard Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3205 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3205 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V | auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3205 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP33N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | auf Bestellung 5644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP33N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 2434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP33N25 Produktcode: 107817
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI | FDP33N25 THT N channel transistors | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP33N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP34N33 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 3225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3632 | ONSEMI | FDP3632 THT N channel transistors | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3632 (TO-220AB) Fairchild Produktcode: 52946
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP3632_NL | auf Bestellung 19219 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ONSEMI | FDP3651U THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3651U | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3651U Produktcode: 144911
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP3651U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3651U | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3652 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3652 | ONSEMI | FDP3652 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3652_NL | auf Bestellung 14881 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP3652_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 24350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3672 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3672 | ONSEMI | FDP3672 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3682 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 32 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3682 Produktcode: 107819
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP3682 | ONSEMI | FDP3682 THT N channel transistors | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | auf Bestellung 7161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3682 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP3682 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V | auf Bestellung 21268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP3682_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH | auf Bestellung 887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 251W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP39N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 39 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 251 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 251 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP39N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP39N20 | FAIRCHILD | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP39N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 251W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4020P | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP4020P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4020P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4030L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V | auf Bestellung 6570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP4030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP42AN15A0 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP42AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP42AN15A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 16903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP42AN15A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP42AN15A0 Produktcode: 111207
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP42AN15A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP42AN15AO | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP46N30 | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ONSEMI | FDP4D5N10C THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP4D5N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP4D5N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | onsemi | MOSFETs FET 100V 128A 4.5 mOhm | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP4D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP51N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP51N25 | ONSEMI | FDP51N25 THT N channel transistors | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP51N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP51N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V | auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 11587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP52N20 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP52N20 Produktcode: 129721
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP52N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | auf Bestellung 4716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP52N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500 | Fairchild Semiconductor | Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V | auf Bestellung 4045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5500 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 55V NCHAN UltraFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5500-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP55N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH | auf Bestellung 1013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5645 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5645 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5645 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | FAIRCHILD | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP5680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5680 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | auf Bestellung 7661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5680_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5690 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5690 | FAIRCHILD | TO-220 | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 Produktcode: 60606
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| Fairchild | Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 60 V Rds(on), Ohm: 6 mOhm JHGF: THT | auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ONSEMI | FDP5800 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242mW Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET | auf Bestellung 3799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Chan UniFET2 500V | auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP5N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 78 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 78 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP5N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V | auf Bestellung 2349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL | FAIRCHILD | 2002 TO-220 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 61536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | FAI | 2003 TO-220 | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 | auf Bestellung 63536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6035A | auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP6035AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | FAIRCHILD | 07+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | auf Bestellung 106637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6035AL | FAIRCHID | 99+ | auf Bestellung 2068 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6035L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP603AL | auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP61N20 | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 4100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 Produktcode: 150150
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP65N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP65N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP65N06, | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHIL | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FSC | TO-220 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | auf Bestellung 28285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6670AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHID | 99+ | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FAIRCHILD | TO-220 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL | FSC | 09+ | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL_NL | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6670AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6676 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 20082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6676 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V | auf Bestellung 20082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6676 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP6676S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP6676S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP70301_88RF002A | auf Bestellung 64890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | auf Bestellung 72127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP7030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 65 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BLNL | FSC | auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP7030BLS | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | FAI | TO220 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | auf Bestellung 29300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP7030L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030L | FAIRCHILD | FDP7030L | auf Bestellung 29300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP7030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7030L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7042L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V | auf Bestellung 33223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP7042L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 33223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7042L | FAIRCHILD | TO-220 02+ | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | FAIRCHILD | 0307 | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | FAIR | 0408 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V | auf Bestellung 165881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP7045L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 165881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7045L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7045L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ONSEMI | FDP75N08A THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP75N08A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP75N08A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP79N15 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | onsemi / Fairchild | Supervisory Circuits | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N50 | ON Semiconductor | 500V, NCH , MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP7N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | auf Bestellung 6859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8030L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8030L | N/A | 09+ | auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8030L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 Produktcode: 66797
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 176W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: DMOS; UniFET™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 176W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: DMOS; UniFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP80N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | FAIRCHILD | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8440 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | auf Bestellung 26190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8440 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V N-Channel Power Trench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | auf Bestellung 17634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8440 | ON Semiconductor | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8440 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8440 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | auf Bestellung 2187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8441 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8441_F085 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 22479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 | auf Bestellung 22479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8442-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8442-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V | auf Bestellung 11973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8443 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | ONSEMI | FDP8447L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3 | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP86363-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP86363-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 42400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP87314B | 07+ | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8860 | ONSEMI | FDP8860 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220 Packaging: Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8860 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V | auf Bestellung 15367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8870 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 156 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8870 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8870_F085A | onsemi / Fairchild | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8870_NL | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| FDP8874 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8874 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | FAIRCHIL | TO220 10+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 126320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8874 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874-SN00117 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 114 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8874_SN00117 | onsemi / Fairchild | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8876 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8876 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8878 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8880 | ONSEMI | FDP8880 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 54 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 55 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 55 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8880 Produktcode: 113618
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | FSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896 Produktcode: 107361
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8896 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8896_F085A | onsemi / Fairchild | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ONSEMI | FDP8D5N10C THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8D5N10C | onsemi | MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm | auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8D5N10C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs UNIFET2 500V | auf Bestellung 7504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP8N50NZ | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDP8N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1002S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1002S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 10941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC1002S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active | auf Bestellung 6672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC1012S | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S-P | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S-P | onsemi | Description: POWERTRENCH POWER CLIP 25V ASYME Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC1012S-P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 26162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC3D5N025X9D | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC3D5N025X9D | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | ON Semiconductor | FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | onsemi / Fairchild | MOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044 | ON Semiconductor | FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDPC4044-P | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044-P | ON Semiconductor | FDPC4044-P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044-P | ON Semiconductor | FDPC4044-P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC4044-P | onsemi | ON Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5018SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDPC5018SG | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5018SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDPC5018SG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active | auf Bestellung 8198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC5018SG | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT8+ N & PT8 N | auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC5018SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5018SG | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5018SG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC5030SG Produktcode: 139909
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT8+ N & PT8 N | auf Bestellung 4467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC5030SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active | auf Bestellung 8162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC5030SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | ONSEMI | FDPC5030SG SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC5030SG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power Clip 56 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDPC8011S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC8011S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: Powerclip-33 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDPC8011S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |