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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDP-1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP-14-TAdam TechHeaders & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED
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FDP-1500Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+77.22 EUR
10+ 69.5 EUR
25+ 66.4 EUR
FDP-16-TAdam TechnologiesConn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-24-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray
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FDP-308-TAdam TechnologiesFDP-308-T
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FDP-308-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.71 EUR
25+ 1.63 EUR
40+ 1.6 EUR
204+ 1.53 EUR
408+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDP-310-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.42 EUR
13+ 2.05 EUR
25+ 1.96 EUR
40+ 1.92 EUR
180+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDP-310-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-310-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
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FDP-314-GAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
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FDP-314-SGAdam TechnologiesCONNECTOR, IDC DIP PLUG
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FDP-314-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-314-TAdam TechHeaders & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-314-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.83 EUR
11+ 2.39 EUR
25+ 2.29 EUR
40+ 2.24 EUR
144+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDP-314-TAdam TechnologiesFDP-314-T
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FDP-316-SGAdam TechnologiesFDP-316-SG
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FDP-316-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-316-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.41 EUR
10+ 2.88 EUR
25+ 2.76 EUR
40+ 2.7 EUR
120+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP-318-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch
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FDP-318-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-318-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.56 EUR
10+ 3.11 EUR
25+ 2.98 EUR
40+ 2.91 EUR
108+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP-320-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-320-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-324-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.41 EUR
25+ 3.26 EUR
40+ 3.19 EUR
84+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP-324-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-328-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-328-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.26 EUR
10+ 3.7 EUR
25+ 3.55 EUR
72+ 3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP-334-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP-624-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-624-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-624-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP-628-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-628-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-632-TAdam TechnologiesFlat Cable IDC Plug 32P 2.54mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-632-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.41 EUR
25+ 3.26 EUR
60+ 3.19 EUR
120+ 3.04 EUR
240+ 2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP-632-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-634-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-636-TAdam TechnologiesFDP-636-T
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-636-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP-640-TAdam TechnologiesConn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole
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FDP-640-TAdam TechDescription: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP-N1000Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP-N1000Panasonic Industrial AutomationSensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH
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FDP-N500Panasonic Industrial Automation SalesDescription: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM
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FDP01ECUGEN
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP020N06Bonsemionsemi FET 60V 1.5 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP020N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDP020N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.27 EUR
50+ 11.3 EUR
100+ 9.69 EUR
500+ 8.61 EUR
1000+ 7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDP020N06B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.35 EUR
10+ 12.06 EUR
50+ 9.13 EUR
100+ 8.37 EUR
250+ 8.29 EUR
500+ 7.75 EUR
1000+ 6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP020N06B-F102ON Semiconductor
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP020N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP022AN03LD0-EVAL
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP023601-20
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP023N08BFairchild SemiconductorDescription: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDP023N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP023N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP023N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.68 EUR
50+ 6.89 EUR
100+ 5.9 EUR
500+ 5.25 EUR
1000+ 4.49 EUR
2000+ 4.23 EUR
5000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP023N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP023N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.76 EUR
10+ 7.44 EUR
50+ 7.33 EUR
100+ 5.41 EUR
250+ 4.68 EUR
500+ 4.45 EUR
1000+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP023N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP025N06Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
119+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 119
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP025N06
Produktcode: 189620		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP025N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.71 EUR
10+ 9.54 EUR
50+ 9.2 EUR
100+ 7.7 EUR
250+ 7.28 EUR
500+ 6.47 EUR
1000+ 6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP025N06ON Semiconductor
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP025N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP027N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP027N08Bonsemionsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP027N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.57 EUR
10+ 6.58 EUR
50+ 6.37 EUR
100+ 5.33 EUR
250+ 5.17 EUR
500+ 4.65 EUR
1000+ 3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP027N08B-F102
Produktcode: 194545		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP027N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP027N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.51 EUR
50+ 5.96 EUR
100+ 5.11 EUR
500+ 4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP027N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
auf Bestellung 420 Stücke:
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FDP027N08B_F102onsemiDescription: FDP027N08B_F102
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FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
auf Bestellung 998 Stücke:
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5+11.15 EUR
10+ 9.36 EUR
25+ 8.81 EUR
100+ 7.57 EUR
250+ 7.12 EUR
500+ 6.73 EUR
1000+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP030N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.08 EUR
50+ 8.78 EUR
100+ 7.52 EUR
500+ 6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP030N06BFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
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185+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 185
FDP030N06B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.77 EUR
50+ 4.63 EUR
100+ 3.81 EUR
500+ 3.22 EUR
1000+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP030N06B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDP030N06B-F102ON Semiconductor
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FDP030N06B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
auf Bestellung 1266 Stücke:
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9+5.8 EUR
12+ 4.65 EUR
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500+ 3.15 EUR
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FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3800 Stücke:
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FDP030N06B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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30+5.32 EUR
32+ 4.75 EUR
50+ 4.53 EUR
100+ 4.22 EUR
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500+ 3.6 EUR
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FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP032N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.78 EUR
50+ 10.91 EUR
100+ 9.35 EUR
500+ 8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDP032N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 37691 Stücke:
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30+5.32 EUR
32+ 4.75 EUR
50+ 4.53 EUR
100+ 4.22 EUR
250+ 3.97 EUR
500+ 3.6 EUR
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FDP032N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
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6+10.19 EUR
10+ 9.65 EUR
50+ 8.76 EUR
100+ 8.06 EUR
250+ 7.96 EUR
500+ 7.44 EUR
1000+ 6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP032N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
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FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
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FDP032N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
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FDP032N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FDP032N08-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench® MOSFET
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FDP032N08Bonsemionsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220
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FDP032N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FDP032N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP032N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
50+ 5.34 EUR
100+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP032N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.86 EUR
10+ 5.77 EUR
50+ 5.56 EUR
100+ 4.65 EUR
500+ 4.13 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP032N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.71 EUR
21+ 7.47 EUR
100+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP036N10Aonsemi / FairchildMOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8426 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.85 EUR
10+ 9.62 EUR
50+ 8.4 EUR
100+ 7.67 EUR
250+ 7.59 EUR
500+ 6.81 EUR
1000+ 6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.71 EUR
21+ 7.47 EUR
100+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDP036N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP036N10AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+17.9 EUR
10+ 15.42 EUR
100+ 13.56 EUR
FDP036N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP036N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.87 EUR
50+ 10.19 EUR
100+ 8.73 EUR
500+ 7.76 EUR
1000+ 6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP036N10A
Produktcode: 94301		IC > IC andere
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.9 EUR
42+ 3.65 EUR
50+ 3.15 EUR
100+ 2.84 EUR
250+ 2.4 EUR
500+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 41
FDP038AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.56 EUR
18+ 4.1 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDP038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.61 EUR
50+ 6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP038AN06A0
Produktcode: 51728		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.87 EUR
42+ 3.62 EUR
50+ 3.13 EUR
100+ 2.81 EUR
250+ 2.38 EUR
500+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 41
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP038AN06A0onsemi / FairchildMOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 6951 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.42 EUR
10+ 6.37 EUR
50+ 5.56 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 4.29 EUR
800+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
18+ 4.1 EUR
23+ 3.25 EUR
24+ 3.07 EUR
250+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDP038AN06A0-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP038AN06A0-F102ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
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FDP038AN06A0-F102onsemi / FairchildMOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH
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FDP038AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
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FDP039N08Bonsemionsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220
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FDP039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP039N08BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
124+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 124
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.36 EUR
37+ 4.09 EUR
44+ 3.37 EUR
100+ 3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDP039N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.2 EUR
10+ 15.6 EUR
50+ 14.72 EUR
100+ 12.53 EUR
250+ 11.41 EUR
500+ 9.85 EUR
1000+ 9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP039N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP039N08B-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
69+11.41 EUR
Mindestbestellmenge: 69
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP039N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.57 EUR
10+ 18.57 EUR
100+ 15.37 EUR
500+ 13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDP039N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
161+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 161
FDP040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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FDP040N06onsemi / FairchildMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
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FDP040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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FDP045N10Aonsemionsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
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FDP045N10A-F032ON Semiconductor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP045N10A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP045N10A-F032onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.94 EUR
50+ 4.61 EUR
100+ 3.81 EUR
250+ 3.62 EUR
500+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDP045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.72 EUR
50+ 7.71 EUR
100+ 6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.8 EUR
50+ 7.77 EUR
100+ 6.68 EUR
500+ 6.29 EUR
800+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.94 EUR
50+ 4.61 EUR
100+ 3.81 EUR
250+ 3.62 EUR
500+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDP045N10AF102Fairchild SemiconductorDescription: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.53 EUR
40+ 3.78 EUR
50+ 3.49 EUR
100+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
19+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDP047AN08A0
Produktcode: 119329		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.01 EUR
10+ 6.73 EUR
50+ 6.34 EUR
100+ 5.43 EUR
250+ 5.12 EUR
500+ 4.84 EUR
1000+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.9 EUR
57+ 2.68 EUR
59+ 2.48 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54
FDP047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.98 EUR
50+ 6.31 EUR
100+ 5.41 EUR
500+ 4.81 EUR
1000+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.23 EUR
19+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDP047AN08A0-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047AN08A0-F102ON Semiconductor / FairchildMOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047AN08A0_NL
auf Bestellung 11629 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP047AN08AOFAIRCHILD
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP047AN08AOFSC07+ QFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP047AN08AOFAIRCHILD08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP047N08ON Semiconductor
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.9 EUR
10+ 6.66 EUR
50+ 6.27 EUR
100+ 5.02 EUR
250+ 4.6 EUR
500+ 4.26 EUR
1000+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
auf Bestellung 34210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.85 EUR
50+ 6.23 EUR
100+ 5.34 EUR
500+ 4.74 EUR
1000+ 4.06 EUR
2000+ 3.82 EUR
5000+ 3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
97+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 97
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.17 EUR
24+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 15597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP047N08-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
24+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 5.58 EUR
100+ 4.44 EUR
800+ 3.76 EUR
1600+ 3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFET PT3 75V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.92 EUR
50+ 8.66 EUR
100+ 7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.92 EUR
10+ 9.26 EUR
25+ 7.72 EUR
100+ 6.84 EUR
250+ 6.45 EUR
500+ 6.06 EUR
1000+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
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23+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDP050AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6629 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.86 EUR
10+ 5.7 EUR
100+ 4.54 EUR
500+ 3.84 EUR
1000+ 3.26 EUR
2000+ 3.09 EUR
5000+ 2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
8+7.02 EUR
10+ 5.64 EUR
100+ 4.63 EUR
250+ 4.58 EUR
500+ 3.9 EUR
800+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP050AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFET Smart Power Module
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.04 EUR
13+ 4.06 EUR
100+ 3.3 EUR
500+ 2.81 EUR
1000+ 2.27 EUR
5000+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.15 EUR
10+ 4.61 EUR
100+ 3.71 EUR
500+ 3.05 EUR
1000+ 2.52 EUR
2000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.38 EUR
50+ 9.81 EUR
100+ 8.41 EUR
500+ 7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.48 EUR
10+ 10.5 EUR
50+ 9.85 EUR
100+ 8.22 EUR
250+ 7.62 EUR
500+ 7.59 EUR
1000+ 6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP060AN08
auf Bestellung 5589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP060AN08A0ONSEMIFDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
29+ 2.47 EUR
31+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.86 EUR
10+ 5.77 EUR
50+ 5.56 EUR
100+ 4.65 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 4.03 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
auf Bestellung 5416 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
50+ 5.4 EUR
100+ 4.63 EUR
500+ 4.11 EUR
1000+ 3.52 EUR
2000+ 3.32 EUR
5000+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP070AN06A0ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.8 EUR
11+ 4.84 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.8 EUR
500+ 2.83 EUR
800+ 2.54 EUR
5600+ 2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
10+ 5.88 EUR
100+ 4.73 EUR
500+ 3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP075N15Aonsemionsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.89 EUR
24+ 6.3 EUR
50+ 5.92 EUR
100+ 5.21 EUR
250+ 4.94 EUR
500+ 4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.63 EUR
25+ 6.11 EUR
50+ 5.76 EUR
100+ 5.14 EUR
250+ 4.88 EUR
500+ 4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.98 EUR
50+ 11.95 EUR
100+ 10.69 EUR
500+ 9.43 EUR
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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18+9.08 EUR
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FDP075N15A-F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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26+ 5.8 EUR
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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18+9.08 EUR
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50+ 7.3 EUR
100+ 6.04 EUR
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FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 53 Stücke:
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8+9.61 EUR
12+ 6.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
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8+9.61 EUR
12+ 6.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP075N15A_F102
Produktcode: 154614		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
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FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
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FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDP083N15A-F102onsemi / FairchildMOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
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5+11.36 EUR
10+ 10.06 EUR
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FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
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12+6.28 EUR
13+ 5.65 EUR
17+ 4.32 EUR
18+ 4.09 EUR
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FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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12+6.28 EUR
13+ 5.65 EUR
17+ 4.32 EUR
18+ 4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.65 EUR
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100+ 7.9 EUR
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1000+ 6.01 EUR
2000+ 5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
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24+6.55 EUR
27+ 5.77 EUR
28+ 5.32 EUR
100+ 4.47 EUR
500+ 3.74 EUR
1000+ 3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
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FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.35 EUR
28+ 5.53 EUR
50+ 5.03 EUR
100+ 4.07 EUR
500+ 3.53 EUR
800+ 2.98 EUR
1000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.34 EUR
28+ 5.52 EUR
50+ 5.01 EUR
100+ 4.06 EUR
500+ 3.52 EUR
800+ 2.97 EUR
1000+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
50+ 5.37 EUR
100+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP085N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.24 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.2 EUR
2500+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.29 EUR
50+ 6.59 EUR
100+ 5.65 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.3 EUR
2000+ 4.05 EUR
5000+ 3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.84 EUR
1000+ 2.27 EUR
2000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 55
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 8484 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.37 EUR
10+ 7.05 EUR
50+ 6.63 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 5.04 EUR
800+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.11 EUR
1000+ 2.48 EUR
2000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.48 EUR
10+ 7.75 EUR
50+ 6.73 EUR
100+ 5.75 EUR
500+ 5.1 EUR
800+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP100N10Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
159+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 159
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.42 EUR
50+ 6.68 EUR
100+ 5.72 EUR
500+ 5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 10506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
229+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 229
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 10798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
307+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 307
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP120AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.98 EUR
50+ 4.8 EUR
100+ 3.95 EUR
500+ 3.34 EUR
1000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP120N10onsemi / FairchildMOSFET N Chan 100V 12Mohm
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.03 EUR
11+ 4.84 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.3 EUR
1000+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
304+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 304
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP12N50NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
auf Bestellung 7146 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.89 EUR
500+ 2.96 EUR
800+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDP12N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP13AN06A0
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 24718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
307+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 307
FDP13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP13AN06A0 
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP14AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP14AN06LA0
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 14481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
109+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 109
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.29 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 4.13 EUR
250+ 4 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.24 EUR
50+ 5.02 EUR
100+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.03 EUR
50+ 4.84 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP150N10A-F102
Produktcode: 150159		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP150N10A-F102onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
auf Bestellung 10047 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.14 EUR
11+ 4.94 EUR
100+ 4.03 EUR
250+ 4 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.76 EUR
2500+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 91W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
135+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 135
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
Produkt ist nicht verfügbar
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.61 EUR
104+ 1.46 EUR
113+ 1.29 EUR
250+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 98
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.61 EUR
104+ 1.46 EUR
113+ 1.29 EUR
250+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 98
FDP16AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.52 EUR
50+ 3.63 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP16AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.56 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 2.05 EUR
2500+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
auf Bestellung 14198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
231+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 231
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.83 EUR
500+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP18N50ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP18N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9652 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
10+ 6.4 EUR
50+ 4.11 EUR
100+ 3.8 EUR
250+ 3.77 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+ 3.09 EUR
30+ 2.43 EUR
32+ 2.3 EUR
250+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+ 3.09 EUR
30+ 2.43 EUR
32+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.47 EUR
50+ 5.14 EUR
100+ 4.41 EUR
500+ 3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 235
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFET UniFET, 400V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
197+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 197
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3 EUR
27+ 2.7 EUR
36+ 1.99 EUR
38+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP20N50ON-SemicoductorN-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.67 EUR
30+ 5.05 EUR
33+ 4.48 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.72 EUR
500+ 3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
27+ 2.7 EUR
36+ 1.99 EUR
38+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.67 EUR
30+ 5.05 EUR
33+ 4.48 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.72 EUR
500+ 3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50Fonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
auf Bestellung 5083 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.23 EUR
10+ 6.06 EUR
50+ 5.72 EUR
100+ 4.91 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.34 EUR
1000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.18 EUR
50+ 5.7 EUR
100+ 4.88 EUR
500+ 4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50F
Produktcode: 190678		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.84 EUR
50+ 7.01 EUR
100+ 6.01 EUR
500+ 5.34 EUR
1000+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 236 Stücke:
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38+4.14 EUR
41+ 3.7 EUR
100+ 3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38
FDP22N50NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.74 EUR
37+ 4.09 EUR
100+ 3.4 EUR
500+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDP22N50N
Produktcode: 60060		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50Nonsemi / FairchildMOSFET UniFETII 500V 22A
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.92 EUR
10+ 7.49 EUR
50+ 7.07 EUR
100+ 6.06 EUR
250+ 5.72 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 236 Stücke:
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38+4.14 EUR
41+ 3.7 EUR
100+ 3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP24AN06LA0Fairchild
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.83 EUR
41+ 3.75 EUR
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500+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDP24N40ON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP24N40FAIRCHILTO220 09+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.83 EUR
41+ 3.75 EUR
100+ 3.26 EUR
500+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532
Produktcode: 44129		Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263AB
Uds,V: 150
Idd,A: 79
Rds(on), Ohm: 0.016
JHGF: SMD
ZCODE: 8541210090
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench
auf Bestellung 5954 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.02 EUR
10+ 7.44 EUR
50+ 7.41 EUR
100+ 6.14 EUR
250+ 6.03 EUR
500+ 5.54 EUR
800+ 5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2552onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.15 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.94 EUR
800+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.07 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.12 EUR
55+ 2.76 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 51
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2552_NL
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2570ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
50+ 4.33 EUR
100+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.24 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDP2572onsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 150V 29A
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
12+ 4.65 EUR
100+ 3.67 EUR
250+ 3.41 EUR
500+ 3.28 EUR
800+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDP2572FSC09+ TO220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.96 EUR
100+ 2.28 EUR
500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.58 EUR
30+ 5.12 EUR
50+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.58 EUR
30+ 5.12 EUR
50+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDP2614onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.48 EUR
10+ 8.35 EUR
50+ 7.31 EUR
100+ 6.66 EUR
250+ 6.58 EUR
500+ 6.21 EUR
800+ 5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 39.3A
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+ 5.39 EUR
17+ 4.25 EUR
18+ 4.02 EUR
250+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP2614ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 39.3A
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+ 5.39 EUR
17+ 4.25 EUR
18+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2614ON Semiconductor
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
auf Bestellung 9582 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.18 EUR
50+ 8.86 EUR
100+ 7.6 EUR
500+ 6.75 EUR
1000+ 5.78 EUR
2000+ 5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
auf Bestellung 6893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15.6A
Power dissipation: 265W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+ 5.71 EUR
100+ 4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP26N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15.6A
Power dissipation: 265W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP26N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP26N40FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C; FDP26N40 TFDP26n40
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.41 EUR
10+ 6.68 EUR
25+ 6.29 EUR
100+ 5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP2710ONSEMIFDP2710 THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
20+ 3.65 EUR
21+ 3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDP2710onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.98 EUR
10+ 8.68 EUR
50+ 7.96 EUR
100+ 6.73 EUR
250+ 6.42 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.88 EUR
50+ 7.82 EUR
100+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V NCHAN PwrTrench
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D3N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.03 EUR
10+ 12.87 EUR
50+ 11.65 EUR
100+ 10.71 EUR
250+ 10.09 EUR
500+ 9.36 EUR
1000+ 8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.9 EUR
50+ 11.9 EUR
100+ 10.64 EUR
500+ 9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDP2D3N10CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D9N12ConsemiMOSFET PTNG 120V N-FET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2D9N12CON SemiconductorN-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
254+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 254
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.84 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.2 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.81 EUR
50+ 3.86 EUR
100+ 3.18 EUR
500+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP33N25
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25
Produktcode: 107817		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP33N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP34N33Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP3632onsemi / FairchildMOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 1600 Stücke:
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7+8.5 EUR
10+ 7.15 EUR
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1000+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3632ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP3632 TFDP3632
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3632 (TO-220AB) Fairchild
Produktcode: 52946		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP3632_NL
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FDP3651UONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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FDP3651Uonsemi / FairchildMOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
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10+5.3 EUR
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100+ 3.56 EUR
500+ 3.07 EUR
800+ 2.47 EUR
5600+ 2.4 EUR
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FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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59+2.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
FDP3651UONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP3651UFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3651UONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.69 EUR
66+ 2.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3651UonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.93 EUR
10+ 5.32 EUR
100+ 4.28 EUR
500+ 3.51 EUR
1000+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP3651U
Produktcode: 144911		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP3651UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 430 Stücke:
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FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3652Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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FDP3652ONSEMIFDP3652 THT N channel transistors
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FDP3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3652onsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
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12+4.39 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP3652_NL
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FDP3652_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
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FDP3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3672ONSEMIFDP3672 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3672FAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 24350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP3672onsemi / FairchildMOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.58 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.54 EUR
800+ 2.06 EUR
5600+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP3682ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
36+ 2 EUR
41+ 1.77 EUR
48+ 1.52 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.3 EUR
73+ 2.08 EUR
92+ 1.59 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDP3682ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.19 EUR
36+ 2 EUR
41+ 1.77 EUR
48+ 1.52 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 500
FDP3682
Produktcode: 107819		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.3 EUR
73+ 2.08 EUR
92+ 1.59 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDP3682onsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
auf Bestellung 20887 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.35 EUR
18+ 2.96 EUR
100+ 2.56 EUR
500+ 2.33 EUR
800+ 2.06 EUR
2400+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDP3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 93
FDP3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.99 EUR
10+ 4.49 EUR
100+ 3.61 EUR
500+ 2.97 EUR
1000+ 2.46 EUR
2000+ 2.29 EUR
5000+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDP3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP3682_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP39N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP39N20Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
189+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 189
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.72 EUR
37+ 4.08 EUR
39+ 3.76 EUR
100+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 34
FDP39N20FAIRCHILD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP39N20onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 6.73 EUR
25+ 6.34 EUR
100+ 5.51 EUR
500+ 4.68 EUR
1000+ 3.93 EUR
2000+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP39N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.72 EUR
37+ 4.08 EUR
39+ 3.76 EUR
100+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 34
FDP4020P
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP4020PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDP4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
FDP4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
auf Bestellung 6570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
410+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 410
FDP4030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP42AN15A0
Produktcode: 111207		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP42AN15A0onsemi / FairchildMOSFET 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 17543 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.95 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.93 EUR
250+ 3.72 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.73 EUR
5000+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP42AN15A0ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP42AN15A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP42AN15AO
auf Bestellung 1080 Stücke:
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FDP46N30
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FDP4D5N10CON Semiconductor
auf Bestellung 356 Stücke:
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FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP4D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3452 Stücke:
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FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 728 Stücke:
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39+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP4D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.86 EUR
10+ 11.65 EUR
100+ 9.43 EUR
500+ 8.38 EUR
1000+ 7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDP4D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 728 Stücke:
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39+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
FDP4D5N10ConsemiMOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
auf Bestellung 48 Stücke:
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4+13.03 EUR
10+ 11.1 EUR
50+ 10.76 EUR
100+ 9.15 EUR
250+ 8.87 EUR
500+ 8.22 EUR
1000+ 6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP51N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP51N25ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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10+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDP51N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP51N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 8912 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.86 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.55 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP51N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP51N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP52N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
12+ 4.71 EUR
100+ 3.9 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP52N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP52N20
Produktcode: 129721		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP52N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP52N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP52N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5500Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
133+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 133
FDP5500onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5500-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5500-F085onsemi / FairchildMOSFET 55V NCHAN UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP55N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP55N06onsemi / FairchildMOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
14+ 3.98 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDP55N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5645onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
111+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 111
FDP5680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
auf Bestellung 7661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
182+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 182
FDP5680onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5680FAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5680_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5690FAIRCHILDTO-220
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.93 EUR
10+ 7.11 EUR
100+ 5.72 EUR
500+ 4.7 EUR
1000+ 3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP5800
Produktcode: 60606		FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5800onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.59 EUR
10+ 6.81 EUR
100+ 5.51 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.64 EUR
2500+ 3.41 EUR
5000+ 3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP5800Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Produkt ist nicht verfügbar
FDP5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
523+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 523
FDP5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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FDP5N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.17 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.4 EUR
2000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP5N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP5N50NZonsemi / FairchildMOSFET N-Chan UniFET2 500V
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.7 EUR
500+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP5N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP5N60NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
545+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 545
FDP5N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP5N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP6030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
516+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 516
FDP6030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDP6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP6030BLFAIRCHILD2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDP6030LFAI2003 TO-220
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 61536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
auf Bestellung 63536 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
566+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 566
FDP6035A
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6035ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6035ALFAIRCHILD07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6035ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6035ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
auf Bestellung 106637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
221+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 221
FDP6035ALFAIRCHID99+
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220
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FDP6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6035Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
401+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 401
FDP603AL
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.92 EUR
44+ 3.46 EUR
100+ 2.79 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDP61N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 6.04 EUR
100+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP61N20ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.6 EUR
48+ 3.17 EUR
100+ 2.56 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 44
FDP61N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 6078 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.75 EUR
100+ 4.6 EUR
500+ 4.47 EUR
1000+ 3.61 EUR
2500+ 3.59 EUR
5000+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDP61N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP61N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP61N20
Produktcode: 150150		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.46 EUR
11+ 5.02 EUR
100+ 4.03 EUR
500+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP65N06
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP65N06,ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6670ALFAIRCHIL
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6670ALFSCTO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
auf Bestellung 26871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
503+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 503
FDP6670ALFAIRCHID99+
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6670ALFAIRCHILDTO-220
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6670ALFSC09+
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP6670ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6670AL_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6670AL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
auf Bestellung 20082 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
332+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 332
FDP6676onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
332+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 332
FDP70301_88RF002A
auf Bestellung 64890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 170
FDP7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030BLFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
auf Bestellung 72127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
436+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 436
FDP7030BLNLFSC
auf Bestellung 3993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7030BLSonsemi / FairchildMOSFET TO-220
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FDP7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T
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FDP7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDP7030LFAITO220
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
auf Bestellung 29300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
130+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 130
FDP7030L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
auf Bestellung 33223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
452+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 452
FDP7042LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP7042LFAIRCHILDTO-220 02+
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7045LFAIRCHILD0307
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
auf Bestellung 165973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
92+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 92
FDP7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 166005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP7045LFAIR0408
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP7045Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7045L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
267+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 267
FDP75N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP75N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08AonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08Aonsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP75N08A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP75N08AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP79N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N50onsemi / FairchildSupervisory Circuits
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N50ON Semiconductor500V, NCH , MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP7N60NZonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.58 EUR
10+ 15.89 EUR
25+ 15.16 EUR
100+ 12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDP8030LONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 7127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
64+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 64
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8030LN/A09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP80N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06
Produktcode: 66797		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP80N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel
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FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8440onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.53 EUR
10+ 11.28 EUR
25+ 10.66 EUR
100+ 9.23 EUR
500+ 7.88 EUR
800+ 6.6 EUR
2400+ 6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDP8440ON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8440ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDP8440Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
auf Bestellung 18984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
130+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 130
FDP8440ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.45 EUR
28+ 5.44 EUR
100+ 4.63 EUR
130+ 3.63 EUR
500+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDP8440FAIRCHILD
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8441ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+ 5.67 EUR
100+ 4.59 EUR
500+ 4.08 EUR
1000+ 3.49 EUR
2000+ 3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
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FDP8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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FDP8441_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
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FDP8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
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FDP8442onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel
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FDP8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
auf Bestellung 22479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
91+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 91
FDP8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP8442-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
237+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 237
FDP8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8443ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8443Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
auf Bestellung 11973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
226+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 226
FDP8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
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FDP8443-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8443-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
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FDP8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8447Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET
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FDP8447LONSEMIFDP8447L THT N channel transistors
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FDP8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.03 EUR
10+ 7.2 EUR
100+ 5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP86363-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.53 EUR
10+ 7.7 EUR
100+ 6.32 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 4.52 EUR
2500+ 4.29 EUR
5000+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDP86363-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 42400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDP86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
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FDP87314B07+
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
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FDP8860onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.11 EUR
79+ 1.93 EUR
100+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 74
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8860Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
auf Bestellung 18336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
239+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 239
FDP8860ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.31 EUR
74+ 2.05 EUR
79+ 1.84 EUR
83+ 1.69 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDP8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
291+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 291
FDP8870-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8870_NL
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8870_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8874FAIRCHILTO220 10+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH
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FDP8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8874Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8874-SN00117onsemionsemi
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FDP8874.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDP8874_SN00117onsemi / Fairchildonsemi
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FDP8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
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FDP8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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FDP8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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FDP8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
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FDP8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDP8880
Produktcode: 113618		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8880ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8880ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
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FDP8880ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.15 EUR
150+ 1.01 EUR
182+ 0.8 EUR
250+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDP8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
50+ 2.82 EUR
100+ 2.23 EUR
500+ 1.89 EUR
1000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8896FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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FDP8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 5705 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.51 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.55 EUR
2500+ 1.52 EUR
25000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8896
Produktcode: 107361		Transistoren > MOSFET N-CH
erwartet 3 Stück:
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8D5N10ConsemiMOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.66 EUR
10+ 5.59 EUR
50+ 5.28 EUR
100+ 4.52 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 4 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8D5N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8D5N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
10+ 5.49 EUR
100+ 4.44 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.38 EUR
2000+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8D5N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8D5N10CON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDP8N50NZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP8N50NZonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V
auf Bestellung 9944 Stücke:
Lieferzeit 273-287 Tag (e)
12+4.5 EUR
13+ 4.06 EUR
100+ 3.17 EUR
500+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDPC1002SON Semiconductor / FairchildMOSFET
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDPC1002SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC1002SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 10941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
761+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 761
FDPC1012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC1012SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
701+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 701
FDPC1012Sonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC1012S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC1012S-Ponsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC3D5N025X9DonsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC3D5N025X9DON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.27 EUR
37+ 3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044ON SemiconductorFDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044onsemiDescription: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044onsemi / FairchildMOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDPC4044ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044-PonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044-PonsemiON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC4044-PON SemiconductorFDPC4044-P
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.11 EUR
82+ 1.78 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 75
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 8724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.84 EUR
10+ 4 EUR
100+ 3.19 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDPC5018SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.11 EUR
82+ 1.78 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 75
FDPC5018SGONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC5018SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC5018SGonsemi / FairchildMOSFET PT8+ N & PT8 N
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.84 EUR
13+ 4 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.3 EUR
3000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5030SG
Produktcode: 139909		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5030SGonsemi / FairchildMOSFET PT8+ N & PT8 N
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.39 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.1 EUR
3000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDPC5030SGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 6008 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
10+ 3.65 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC5030SGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8011Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.32 EUR
10+ 7.02 EUR
25+ 6.94 EUR
100+ 5.67 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.32 EUR
3000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.52 EUR
33+ 4.41 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.03 EUR
500+ 2.67 EUR
1000+ 2.2 EUR
3000+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FDPC8011SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8011SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.27 EUR
10+ 6.94 EUR
100+ 5.62 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDPC8011SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.46 EUR
33+ 4.62 EUR
34+ 4.36 EUR
100+ 3.42 EUR
250+ 2.99 EUR
500+ 2.64 EUR
1000+ 2.18 EUR
3000+ 2.14 EUR
6000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.41 EUR
10+ 6.23 EUR
100+ 5.04 EUR
500+ 4.48 EUR
1000+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDPC8011S-AU01onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC8011S-AU01onsemiMOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 7951 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.29 EUR
10+ 6.98 EUR
100+ 5.65 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDPC8012Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
auf Bestellung 9017 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.37 EUR
10+ 7.07 EUR
25+ 7.05 EUR
100+ 5.72 EUR
250+ 5.69 EUR
500+ 5.1 EUR
1000+ 4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 7951 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.29 EUR
10+ 6.98 EUR
100+ 5.65 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDPC8012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 3942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.46 EUR
10+ 4.53 EUR
100+ 3.6 EUR
500+ 3.05 EUR
1000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDPC8013SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8013SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC8013Sonsemi / FairchildMOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.49 EUR
12+ 4.58 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.35 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.6 EUR
3000+ 2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8014ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
228+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 228
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8014ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
auf Bestellung 623 Stücke:
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FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
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89+1.63 EUR
100+ 1.57 EUR
250+ 1.5 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.37 EUR
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FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
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94+1.67 EUR
96+ 1.58 EUR
100+ 1.51 EUR
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FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
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3000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC8014SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
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FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
10+ 5.44 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.11 EUR
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FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDPC8016SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPC8016SON Semiconductor
auf Bestellung 2975 Stücke:
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FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
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3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDPC8016Sonsemi / FairchildMOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
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12+4.42 EUR
15+ 3.67 EUR
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250+ 2.7 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.1 EUR
3000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDPC8016SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/35A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 4809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
10+ 3.65 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDPE 0501 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
51+ 1.42 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDPE 0501 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
51+ 1.42 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.49 EUR
30+ 2.42 EUR
31+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.1 EUR
26+ 2.76 EUR
29+ 2.49 EUR
30+ 2.42 EUR
31+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDPE 1251 1001COLSONFDPE-1251-1001 Wheels
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF 4001 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Einmodenfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF 4001 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF 4002 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Faser(n)
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF 4002 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
productTraceability: No
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF-210-05RAUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF035N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 178237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF035N06BFairchild SemiconductorDescription: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 178237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
243+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 243
FDPF035N06B-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF035N06B-F154onsemiMOSFET FET 60V 3.5 MOHM TO220F
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.72 EUR
10+ 6.94 EUR
100+ 5.56 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.35 EUR
2000+ 3.2 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDPF035N06B-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF035N06B-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF035N06B_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
315+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 315
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF041N06BL1-F154onsemiMOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.86 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.14 EUR
2000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDPF045N10Aonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.85 EUR
10+ 8.27 EUR
50+ 7.77 EUR
100+ 6.68 EUR
250+ 6.32 EUR
500+ 5.93 EUR
1000+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDPF045N10AON Semiconductor
auf Bestellung 10662 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDPF045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 37890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.78 EUR
50+ 7.74 EUR
100+ 6.64 EUR
500+ 5.9 EUR
1000+ 5.05 EUR
2000+ 4.76 EUR
5000+ 4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF045N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0037 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.99 EUR
57+ 2.65 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 53
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF085N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF085N10Aonsemi / FairchildMOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.01 EUR
11+ 5.07 EUR
100+ 4.13 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 3.12 EUR
5000+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.99 EUR
57+ 2.65 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 53
FDPF085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.86 EUR
50+ 5.52 EUR
100+ 4.54 EUR
500+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDPF10N50FTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF10N50FTonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 10A
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.58 EUR
13+ 4.13 EUR
25+ 3.9 EUR
100+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDPF10N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
347+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 347