FDP3651U ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FDP3651U ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP3651U nach Preis ab 1.35 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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FDP3651U | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP3651U | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP3651U | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP3651U | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP3651U Produktcode: 144911
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDP3651U | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP3651U | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP3651U | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FDP3651U | Hersteller : ONSEMI |
FDP3651U THT N channel transistors |
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