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FDP3651U

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Produktcode: 144911
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDP3651U FDP3651U onsemi / Fairchild fdp3651u-d.pdf MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
auf Bestellung 371 Stücke:
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1+4.63 EUR
10+2.52 EUR
100+2.22 EUR
250+2.15 EUR
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FDP3651U FDP3651U onsemi fdp3651u-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 657 Stücke:
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50+2.52 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDP3651U FDP3651U ONSEMI 2304077.pdf Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDP3651U
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
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Anzahl Preis
1+4.63 EUR
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FDP3651U
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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FDP3651U
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 486 Stücke:
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