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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP52N20 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | onsemi |
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET |
auf Bestellung 6781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP52N20 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP52N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 357W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
auf Bestellung 907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP52N20 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 242+ | 2.76 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 3.21 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 3.21 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.16 EUR |
| 250+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.07 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 57+ | 3.02 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 5.83 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.84 EUR |
| 56+ | 3.08 EUR |
| 57+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 6781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.66 EUR |
| 10+ | 5.06 EUR |
| 50+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.9 EUR |
| 55+ | 4.25 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| FDP52N20 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





