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FDP52N20

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Produktcode: 129721
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP52N20 FDP52N20 onsemi / Fairchild 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 7663 Stücke:
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1+5.01 EUR
10+2.7 EUR
100+2.53 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.05 EUR
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FDP52N20 FDP52N20 onsemi FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
auf Bestellung 6828 Stücke:
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5+5.09 EUR
50+2.67 EUR
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500+2.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDP52N20 FDP52N20 ON-Semiconductor info-tfdp52n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 872 Stücke:
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FDP52N20 32A441124C09B93908095C99E8FB60179A2FBCBE4487261F057C799743D542B2.pdf
FDP52N20
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-CHANNEL MOSFET
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FDP52N20
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
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FDP52N20
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDP52N20 ONSM-S-A0013339334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP52N20
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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