FDP032N08B-F102 ON Semiconductor
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Technische Details FDP032N08B-F102 ON Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220-3, On-state resistance: 3.3mΩ, Mounting: THT, Pulsed drain current: 844A, Power dissipation: 263W, Gate charge: 111nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 211A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote FDP032N08B-F102 nach Preis ab 2.89 EUR bis 7.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FDP032N08B-F102 | onsemi |
 MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDP032N08B-F102 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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