Weitere Produktangebote FDP33N25 nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDP33N25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 250V N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 2173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP33N25 |
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auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |