
FDP060AN08A0 ON Semiconductor
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Technische Details FDP060AN08A0 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDP060AN08A0 nach Preis ab 1.77 EUR bis 8.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP060AN08A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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