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FDP8880

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDP8880 FDP8880 Hersteller : ON Semiconductor fdp8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1101 Stücke:
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : ON Semiconductor fdp8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : ON Semiconductor fdp8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : ON Semiconductor fdp8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS26420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : onsemi fdp8880-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : onsemi fdp8880-d.pdf FAIRS26420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDP8880 FDP8880 Hersteller : ONSEMI fdp8880-d.pdf FAIRS26420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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