FDP150N10A-F102 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDP150N10A-F102 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP150N10A-F102 nach Preis ab 2.31 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDP150N10A-F102 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V |
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FDP150N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| FDP150N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP150N10A-F102 Produktcode: 150159
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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FDP150N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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FDP150N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP150N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
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| FDP150N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Power dissipation: 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 16.2nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A |
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