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FDPF12N60NZ

FDPF12N60NZ-D.PDF
Produktcode: 216909
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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76+1.85 EUR
100+1.71 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Mindestbestellmenge: 53
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
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50+2.41 EUR
100+2.17 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Hersteller : ON Semiconductor fdpf12n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF12N60NZ Hersteller : ONS/FAI FDPF12N60NZ-D.PDF MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Produktcode: 31676
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ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
auf Bestellung 2262 St.:
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erwartet 10100 St.:
10000 St. - erwartet 15.06.2026
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1596 St.:
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22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Produktcode: 17714
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EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 7389 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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4,7uF 50V EXR 5x11mm (EXR4R7M50B-Hitano)
Produktcode: 11561
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EXR_080421.pdf
4,7uF 50V EXR 5x11mm (EXR4R7M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4112 St.
1 St. - stock Köln
4111 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 St.
Anzahl Preis
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10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.015 EUR
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100uF 50V EXR 10x12,5mm (EXR101M50B-Hitano)
Produktcode: 2439
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EXR_080421.pdf
100uF 50V EXR 10x12,5mm (EXR101M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 2984 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.081 EUR
1000+0.075 EUR
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