Weitere Produktangebote FDPF12N60NZ nach Preis ab 1.64 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDPF12N60NZ | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 6895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | onsemi |
MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE |
auf Bestellung 12404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 39W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm |
auf Bestellung 10149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDPF12N60NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 2.99 EUR |
| 76+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 2.99 EUR |
| 76+ | 2.3 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.93 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 3.28 EUR |
| 31+ | 2.74 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.37 EUR |
| 250+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
auf Bestellung 12404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.9 EUR |
| 50+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
Description: ONSEMI - FDPF12N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 10149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDPF12N60NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 31676
7
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 7272 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.095 EUR |
| 10+ | 0.071 EUR |
| 100+ | 0.04 EUR |
| 1000+ | 0.037 EUR |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1253 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 17714
3
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 4488 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.071 EUR |
| 10+ | 0.052 EUR |
| 100+ | 0.03 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| 4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 11561
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 3918 St.
- 1 St. - stock Köln
- 3917 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.31 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 100uF 50V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 2439
5
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 1951 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.17 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.089 EUR |