Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDP61N20

FDP61N20

fdp61n20-d.pdf
Produktcode: 150150
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDP61N20 nach Preis ab 2.37 EUR bis 6.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP61N20 FDP61N20 onsemi / Fairchild fdp61n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.73 EUR
100+2.57 EUR
250+2.49 EUR
500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 FDP61N20 ON-Semiconductor info-tfdp61n20.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 FDP61N20 onsemi fdp61n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
50+3.46 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI 2303835.pdf Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.97 EUR
10+2.73 EUR
100+2.57 EUR
250+2.49 EUR
500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 info-tfdp61n20.pdf
FDP61N20
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 fdp61n20-d.pdf
FDP61N20
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.87 EUR
50+3.46 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP61N20 2303835.pdf
FDP61N20
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH