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FDP083N15A_F102

FDP083N15A_F102 ON Semiconductor

4268343290308275fdp083n15a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
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25+7.14 EUR
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Technische Details FDP083N15A_F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 294W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm.

Weitere Produktangebote FDP083N15A_F102 nach Preis ab 3.03 EUR bis 12.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ
auf Bestellung 48 Stücke:
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17+5.31 EUR
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FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 onsemi fdp083n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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2+10.52 EUR
50+5.53 EUR
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FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 onsemi fdp083n15a-d.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
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FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI 2304644.pdf Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
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20+12.57 EUR
31+7.7 EUR
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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24+7.38 EUR
27+6.64 EUR
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500+4.56 EUR
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Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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10+5.57 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
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