
FDPF10N60NZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1111 Stücke:
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Technische Details FDPF10N60NZ ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDPF10N60NZ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDPF10N60NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDPF10N60NZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 25 V |
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FDPF10N60NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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