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FDP42AN15A0

FDP42AN15A0 onsemi / Fairchild

TO220B03_Pkg_Dwg.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V
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Technische Details FDP42AN15A0 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.

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FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 Hersteller : onsemi TO220B03_Pkg_Dwg.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
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FDP42AN15A0 Hersteller : ONSEMI TO220B03_Pkg_Dwg.pdf FDP42AN15A0 THT N channel transistors
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FDP42AN15A0 FDP42AN15A0
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