
FDP42AN15A0 ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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25+ | 2.90 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
100+ | 1.86 EUR |
250+ | 1.84 EUR |
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Technische Details FDP42AN15A0 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDP42AN15A0 nach Preis ab 1.75 EUR bis 4.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDP42AN15A0 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP42AN15A0 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 16903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP42AN15A0 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP42AN15A0 | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP42AN15A0 Produktcode: 111207
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FDP42AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDP42AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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