FDP038AN06A0 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 41+ | 3.62 EUR |
| 42+ | 3.43 EUR |
| 50+ | 2.85 EUR |
| 100+ | 2.35 EUR |
| 250+ | 2.20 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
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Technische Details FDP038AN06A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDP038AN06A0 nach Preis ab 2.09 EUR bis 4.56 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V |
auf Bestellung 6457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP038AN06A0 Produktcode: 51728
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP038AN06A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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