FDP5800 Fairchild
Produktcode: 60606
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6 мОм
Montage: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDP5800 nach Preis ab 2.23 EUR bis 7.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP5800 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FDP5800 | onsemi |
MOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FDP5800 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242mW Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FDP5800 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDP5800 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.12 EUR |
| 10+ | 3.99 EUR |
| 100+ | 2.77 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| FDP5800 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET
MOSFETs 60V N-Ch Logic Level MOSFET
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.43 EUR |
| 10+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| FDP5800 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.18 EUR |
| 39+ | 6.08 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| FDP5800 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)