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FDP075N15A-F102

FDP075N15A-F102 ON Semiconductor

fdp075n15ad.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details FDP075N15A-F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6250 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
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Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
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FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 Hersteller : onsemi / Fairchild E09D7CBE404B10D0B48134B9D6C04BE23965391F6C4AE5C351E7AA5D91F6B32B.pdf MOSFETs 150V NChan PwrTrench
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FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 Hersteller : onsemi fdp075n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDP075N15A_F102 FDP075N15A_F102 Hersteller : onsemi / Fairchild MOSFET 150V NChan PwrTrench
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