FDP085N10A-F102 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDP085N10A-F102 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDP085N10A-F102 nach Preis ab 2.03 EUR bis 5.46 EUR
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FDP085N10A-F102 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V |
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FDP085N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDP085N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP085N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP085N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FDP085N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; Idm: 384A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Pulsed drain current: 384A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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