FDP51N25 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.36 EUR |
| 28+ | 2.6 EUR |
| 33+ | 2.17 EUR |
| 35+ | 2.1 EUR |
| 50+ | 2.04 EUR |
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Technische Details FDP51N25 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP51N25 nach Preis ab 2.04 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDP51N25 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 60mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 320W Drain-source voltage: 250V Polarisation: unipolar Case: TO220-3 |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP51N25 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |