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Technische Details FDP51N25 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP51N25 nach Preis ab 2.07 EUR bis 4.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FDP51N25 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP51N25 | Hersteller : ONSEMI |
FDP51N25 THT N channel transistors |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP51N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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