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FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102 onsemi

fdp045n10a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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Technische Details FDP045N10A-F102 onsemi

Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 onsemi fdp045n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
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1+7.76 EUR
10+4.05 EUR
100+3.68 EUR
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