FDP045N10A-F102 ON Semiconductor
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| 57+ | 2.56 EUR |
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Technische Details FDP045N10A-F102 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP045N10A-F102 nach Preis ab 2.01 EUR bis 6.74 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP045N10A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| FDP045N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDP045N10AF102 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
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| FDP045N10A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 263W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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