Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102 ON Semiconductor


fdp045n10ad.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 207200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP045N10A-F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDP045N10A-F102 nach Preis ab 2.1 EUR bis 6.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+3.73 EUR
43+3.29 EUR
50+2.91 EUR
100+2.64 EUR
250+2.51 EUR
500+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : onsemi / Fairchild fdp045n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.74 EUR
10+5.23 EUR
50+3.73 EUR
100+3.47 EUR
250+3.45 EUR
500+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : onsemi fdp045n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 207980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.74 EUR
50+4.06 EUR
100+3.69 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ONSEMI 2907386.pdf Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 Hersteller : ONSEMI fdp045n10a-d.pdf FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10AF102 FDP045N10AF102 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH