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FDP047AN08A0

FDP047AN08A0 ON Semiconductor

fdh047an08a0-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FDP047AN08A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.

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FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Hersteller : ON Semiconductor fdh047an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Hersteller : onsemi / Fairchild FDH047AN08A0_D-1807380.pdf MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
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FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Hersteller : onsemi fdh047an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
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FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Hersteller : ON Semiconductor fdh047an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP047AN08A0 Hersteller : ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf FDP047AN08A0 THT N channel transistors
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Produktcode: 119329
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