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FDP2570 onsemi


FDB2570.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Technische Details FDP2570 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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FDP2570 FDP2570 onsemi / Fairchild FDB2570.pdf MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
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