FDP2532
Produktcode: 44129
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-263AB
Uds,V: 150
Idd,A: 79
Rds(on), Ohm: 0.016
JHGF: SMD
ZCODE: 8541210090
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote FDP2532 nach Preis ab 2.57 EUR bis 9.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP2532 | Hersteller : ONS/FAI |
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |