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FDP2532

FDP2532-D.PDF
Produktcode: 44129
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Hersteller:
Gehäuse: TO-263AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 79 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Montage: SMD
ZCODE: 8541210090
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 310W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
25+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.5 EUR
36+4.83 EUR
50+4.4 EUR
100+3.75 EUR
500+3.33 EUR
800+2.7 EUR
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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36+4.75 EUR
50+4.25 EUR
100+3.56 EUR
500+3.09 EUR
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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34+5.25 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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10+4.19 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
50+4.39 EUR
100+4 EUR
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2000+3.06 EUR
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FDP2532 FDP2532 ONSEMI ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
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28+9.02 EUR
50+4.64 EUR
100+4.22 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.12 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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FDP2532 FDP2532 ON-Semiconductor TFDP2532_2533.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 302 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDP2532
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 310W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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25+3.47 EUR
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
33+5.5 EUR
36+4.83 EUR
50+4.4 EUR
100+3.75 EUR
500+3.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.52 EUR
36+4.75 EUR
50+4.25 EUR
100+3.56 EUR
500+3.09 EUR
800+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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34+5.25 EUR
50+4.76 EUR
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FDP2532
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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AnzahlPrivatkunde
1+7.6 EUR
10+4.19 EUR
100+3.96 EUR
500+3.52 EUR
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FDP2532
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
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FDP2532
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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50+4.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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FDP2532 FDP2532-D.PDF
FDP2532
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.9 EUR
10+6.5 EUR
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FDP2532 TFDP2532_2533.pdf
FDP2532
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Produktcode: 196843
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AH_20160101-Hitano-datasheet.pdf
2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstände im Aluminiumgehäuse 10-600W
Nennwert, Ohm: 2 Ом
Toleranz, %: ±5%
Leistung, W: 50 Вт
Abmessungen, mm: 50x29x15,5 мм
Typ: drahtgewickelt mit Kühlkörper
auf Bestellung: 70 St.
  • 70 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP250H(D4,F)
Produktcode: 170247
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docget.jsp?did=13872&prodName=TLP250H
IC > Optokoppler (Optrone)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Produktcode: 72179
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
auf Bestellung: 7602 St.
  • 7602 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.063 EUR
100+0.051 EUR
10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,5W bedrahtet (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 54996
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FMF-MFR_120622ds.pdf
10 Ohm 5% 0,5W bedrahtet (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%, ±100ppm
Nennleistung, W: 0,5 W
U Betrieb, V: 200 V
Größe / Typ: 3.2x1.5 mm; D-Anschl.=0.45 mm
Typ: Metallschicht Miniatur
verfügbar: 1198 St.
  • 1198 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1933 St.
  • 1933 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.046 EUR
100+0.038 EUR
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 33207
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz und TKR: ±5%
P Nenn.: 1 W
U Betrieb: 500 V
Abmessungen: 9x3mm; D_Anschl.=0.64mm
Typ: Kohleschicht, miniatur
Temperatur: -55...+125°C
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
auf Bestellung: 76 St.
  • 76 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.079 EUR
100+0.058 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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