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FDP2532

FDP2532-D.PDF
Produktcode: 44129
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Hersteller:
Gehäuse: TO-263AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 79 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Montage: SMD
ZCODE: 8541210090
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 310W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
25+3.47 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
auf Bestellung 3892 Stücke:
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1+7.6 EUR
10+4.19 EUR
100+3.96 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
50+4.39 EUR
100+4 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.08 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
auf Bestellung 1713 Stücke:
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1+9.9 EUR
10+6.5 EUR
100+4.84 EUR
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FDP2532 FDP2532 ON-Semiconductor TFDP2532_2533.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 310W
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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FDP2532
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
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50+4.39 EUR
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FDP2532
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
auf Bestellung 1713 Stücke:
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDP2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
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2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Hersteller: Hitano
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Nennwert, Ohm: 2 Ом
Toleranz, %: ±5%
Leistung, W: 50 Вт
Abmessungen, mm: 50x29x15,5 мм
Typ: drahtgewickelt mit Kühlkörper
auf Bestellung 75 St.:
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TLP250H(D4,F)
Produktcode: 170247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
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100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
auf Bestellung 7662 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.024 EUR
100+0.008 EUR
1000+0.0043 EUR
10000+0.0037 EUR
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10 Ohm 5% 0,5W bedrahtet (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 54996
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10 Ohm 5% 0,5W bedrahtet (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%, ±100ppm
Nennleistung, W: 0,5 W
U Betrieb, V: 200 V
Größe / Typ: 3.2x1.5 mm; D-Anschl.=0.45 mm
Typ: Metallschicht Miniatur
verfügbar: 3231 St.
  • 1198 St. - stock Köln
  • 2033 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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10 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 33207
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz und TKR: ±5%
P Nenn.: 1 W
U Betrieb: 500 V
Abmessungen: 9x3mm; D_Anschl.=0.64mm
Typ: Kohleschicht, miniatur
Temperatur: -55...+125°C
auf Bestellung 76 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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