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FDP2532

FDP2532

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Produktcode: 44129
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Hersteller:
Gehäuse: TO-263AB
Uds,V: 150
Idd,A: 79
Rds(on), Ohm: 0.016
JHGF: SMD
ZCODE: 8541210090
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 52 Stücke:
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23+3.22 EUR
50+2.92 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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1+6.39 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
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3+7.15 EUR
50+3.69 EUR
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FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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FDP2532 FDP2532 ON-Semiconductor TFDP2532_2533.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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FDP2532
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Produktcode: 196843
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AH_20160101-Hitano-datasheet.pdf
2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstände im Aluminiumgehäuse 10-600W
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 50 W
Габарити: 50x29x15,5 mm
Тип: дротяний з радіатором
auf Bestellung 76 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP250H(D4,F)
Produktcode: 170247
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docget.jsp?did=13872&prodName=TLP250H
IC > Optokoppler (Optrone)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Produktcode: 72179
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
auf Bestellung 8162 St.:
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Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0067 EUR
1000+0.0036 EUR
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10 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 54996
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FMF-MFR_120622ds.pdf
10 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur
verfügbar: 3431 St.
1198 St. - stock Köln
2233 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.01 EUR
1000+0.0084 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 33207
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
auf Bestellung 201 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.018 EUR
100+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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