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FDP8860

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FDP8860 FDP8860 Hersteller : ON Semiconductor fdp8860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
203+2.67 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 203
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : ON Semiconductor fdp8860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
203+2.67 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 203
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : ON Semiconductor fdp8860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 13482 Stücke:
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Anzahl Preis
203+2.67 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.06 EUR
10000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 203
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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162+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : UMW cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 992 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.8 EUR
10+2.45 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDP8860 Hersteller : ONN fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : onsemi fdp8860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V
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FDP8860 FDP8860 Hersteller : onsemi fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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