FDPC5018SG ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 123+ | 1.42 EUR |
| 125+ | 1.34 EUR |
| 127+ | 1.27 EUR |
| 129+ | 1.2 EUR |
| 250+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details FDPC5018SG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm, tariffCode: 85413000, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 29W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 29W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDPC5018SG nach Preis ab 1.14 EUR bis 5.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56Part Status: Active Supplier Device Package: Power Clip 56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W, 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 17619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 18618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 16241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 33319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohmtariffCode: 85413000 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPC5018SG | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56Part Status: Active Supplier Device Package: Power Clip 56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W, 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN |
auf Bestellung 7743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPC5018SG | onsemi |
MOSFETs PT8+ N & PT8 N |
auf Bestellung 2729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPC5018SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohmtariffCode: 85413000 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 29W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 29W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 123+ | 1.42 EUR |
| 125+ | 1.37 EUR |
| 127+ | 1.32 EUR |
| 129+ | 1.27 EUR |
| 250+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.55 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 17619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 10000+ | 1.42 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 10000+ | 1.42 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 16241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 10000+ | 1.42 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 33319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 10000+ | 1.42 EUR |
| FDPC5018SG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1500+ | 1.63 EUR |
| FDPC5018SG |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power Clip 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
auf Bestellung 7743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| FDPC5018SG |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT8+ N & PT8 N
MOSFETs PT8+ N & PT8 N
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.93 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.73 EUR |
| 3000+ | 1.51 EUR |
| FDPC5018SG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 1400 µohm
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.88 EUR |
| 67+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1500+ | 1.63 EUR |




