FDP18N50 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.42 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
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Technische Details FDP18N50 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDP18N50 nach Preis ab 1.53 EUR bis 6.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP18N50 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 9921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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