FDP12N50 Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Technische Details FDP12N50 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 11.5, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 165, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 165, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDP12N50 nach Preis ab 2.43 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FDP12N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP12N50 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |