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Technische Details FDP8D5N10C UMW
Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP8D5N10C nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDP8D5N10C | Hersteller : onsemi |
 MOSFETs FET 100V 76A 8.5 mOhm |
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FDP8D5N10C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP8D5N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| FDP8D5N10C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 304A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A Pulsed drain current: 304A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDP8D5N10C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 304A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A Pulsed drain current: 304A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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