FDP027N08B-F102 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDP027N08B-F102 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 223A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDP027N08B-F102 nach Preis ab 2.43 EUR bis 4.93 EUR
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FDP027N08B-F102 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V |
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FDP027N08B-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 2210 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| FDP027N08B_F102 | Hersteller : onsemi | Description: FDP027N08B_F102 |
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FDP027N08B-F102 Produktcode: 194545
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDP027N08B-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP027N08B-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FDP027N08B-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 223A; Idm: 892A; 246W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 223A Pulsed drain current: 892A Power dissipation: 246W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 137nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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