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FDP2710

FDP2710 onsemi / Fairchild

FDP2710_D-2312629.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench
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Technische Details FDP2710 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V.

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FDP2710 FDP2710 Hersteller : onsemi fdp2710-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
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FDP2710 Hersteller : ONSEMI fdp2710-d.pdf FDP2710 THT N channel transistors
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FDP2710 FDP2710 Hersteller : ON Semiconductor fdp2710jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP2710 FDP2710 Hersteller : ON Semiconductor fdp2710jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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