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FDP030N06B-F102

FDP030N06B-F102 ON Semiconductor

fdp030n06b-f102-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FDP030N06B-F102 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDP030N06B-F102 FDP030N06B-F102 Hersteller : ON Semiconductor fdp030n06b-f102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
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FDP030N06B-F102 FDP030N06B-F102 Hersteller : onsemi / Fairchild fdp030n06b-f102-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
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