FDP22N50N onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.5 EUR |
| 50+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 3.54 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| 1000+ | 2.74 EUR |
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Technische Details FDP22N50N onsemi
Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 312.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312.5, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDP22N50N nach Preis ab 3.13 EUR bis 71.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDP22N50N | Hersteller : onsemi |
MOSFETs UniFETII 500V 22A |
auf Bestellung 1011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP22N50N | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP22N50N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 312.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 312.5 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP22N50N Produktcode: 60060
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDP22N50N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP22N50N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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