Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDP22N50N

FDP22N50N

fdp22n50n-d.pdf
Produktcode: 60060
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDP22N50N nach Preis ab 4.05 EUR bis 10.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI FDP22N50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.02 EUR
17+5.22 EUR
30+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI 2729314.pdf Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
35+6.79 EUR
100+5.14 EUR
500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N onsemi fdp22n50n-d.pdf MOSFETs UniFETII 500V 22A
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+6.75 EUR
100+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N.pdf
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+6.02 EUR
17+5.22 EUR
30+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N 2729314.pdf
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.12 EUR
35+6.79 EUR
100+5.14 EUR
500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N fdp22n50n-d.pdf
FDP22N50N
Hersteller: onsemi
MOSFETs UniFETII 500V 22A
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.28 EUR
10+6.75 EUR
100+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH