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Technische Details FDS4470 ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +30V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote FDS4470 nach Preis ab 1 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS4470 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V |
auf Bestellung 193682 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 12.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 6314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 194011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS4470 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS4470 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |