Produkte > ONSEMI > FDS6912A
FDS6912A

FDS6912A ONSEMI


FDS6912A.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
139+ 0.51 EUR
148+ 0.49 EUR
500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS6912A ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDS6912A nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ONSEMI FDS6912A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
139+ 0.51 EUR
148+ 0.49 EUR
500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 76
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
147+1.03 EUR
149+ 0.98 EUR
202+ 0.7 EUR
250+ 0.64 EUR
500+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 147
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
126+1.21 EUR
147+ 0.99 EUR
149+ 0.95 EUR
202+ 0.67 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 126
FDS6912A FDS6912A Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.3 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS6912A FDS6912A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.34 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.57 EUR
2500+ 0.52 EUR
5000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6912A Hersteller : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS6912A
Produktcode: 148756
ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6912A FDS6912A Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar