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FDS6912A

FDS6912A onsemi

ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 110000 Stücke:
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2500+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
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Technische Details FDS6912A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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147+1.03 EUR
149+0.98 EUR
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
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1000+0.49 EUR
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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147+0.99 EUR
149+0.95 EUR
202+0.67 EUR
250+0.62 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS6912A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6912A Multi channel transistors
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141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
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FDS6912A Hersteller : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS6912A
Produktcode: 148756
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6912A FDS6912A Hersteller : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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