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FDS86140

FDS86140 ON Semiconductor

3651764586542256fds86140.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS86140 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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FDS86140 FDS86140 Hersteller : ON Semiconductor 3651764586542256fds86140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
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10+ 5.66 EUR
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500+ 4.07 EUR
1000+ 3.49 EUR
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS86140_D-2312876.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1000+ 3.82 EUR
2500+ 3.59 EUR
5000+ 3.46 EUR
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 375 Stücke:
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 375 Stücke:
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FDS86140
Produktcode: 179302 		fds86140-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : ON Semiconductor 3651764586542256fds86140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : ON Semiconductor 3651764586542256fds86140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86140 FDS86140 Hersteller : onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
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