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FDS86140

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Produktcode: 179302
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS86140 FDS86140 onsemi / Fairchild FDS86140-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.89 EUR
100+2.78 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS86140 FDS86140 ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.57 EUR
57+3.01 EUR
60+2.75 EUR
100+2.33 EUR
250+2.21 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS86140 FDS86140 ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 14815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS86140 FDS86140 ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
50+5.32 EUR
100+3.7 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS86140 Aptina Imaging fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS86140
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.28 EUR
10+2.89 EUR
100+2.78 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.57 EUR
57+3.01 EUR
60+2.75 EUR
100+2.33 EUR
250+2.21 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.95 EUR
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FDS86140 2304152.pdf
FDS86140
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 14815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.25 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS86140
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.47 EUR
50+5.32 EUR
100+3.7 EUR
500+3.11 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS86140 fds86140-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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