Weitere Produktangebote FDS86140 nach Preis ab 1.6 EUR bis 5.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS86140 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 11086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS86140 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS86140 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS86140 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FDS86140 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| FDS86140 | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS86140 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDS86140 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |