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FDS86140

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Produktcode: 179302
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDS86140 FDS86140 onsemi / Fairchild FDS86140-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.43 EUR
100+2.34 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.06 EUR
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FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.81 EUR
100+2.67 EUR
500+2.39 EUR
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FDS86140 FDS86140 ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS86140 FDS86140 ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS86140
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11086 Stücke:
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Anzahl Preis
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FDS86140
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
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FDS86140
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDS86140
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2504 Stücke:
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