FDS8958B ON Semiconductor
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Technische Details FDS8958B ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS8958B | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8958B | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS8958B | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench |
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FDS8958B | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 28875 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8958B | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8958B | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDS8958B | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8958B | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDS8958B | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8958B | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8958B | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A On-state resistance: 39/72mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20/±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8958B | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A On-state resistance: 39/72mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20/±25V |
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