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Technische Details FDS9933A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDS9933A nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS9933A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V |
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FDS9933A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS9933A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS9933A | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Case: SO8 |
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