FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF200R12KT4HOSA1 nach Preis ab 165.34 EUR bis 216.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
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