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FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies


7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116199788351dc5 Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF200R12KT4HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FF200R12KT4_DS_v02_00_EN-3361658.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
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