FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
auf Bestellung 5 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 107.25 EUR |
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Technische Details FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 320A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF200R12KT4HOSA1 nach Preis ab 99.18 EUR bis 154.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 320A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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| FF200R12KT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
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