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FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

FF200R12KT4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.1kW, Verlustleistung: 1.1kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 320A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 39 Stücke:
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10+122.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116199788351dc5 Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+129.83 EUR
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
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FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
Verlustleistung: 1.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+203.37 EUR
5+176.12 EUR
10+150.82 EUR
50+147.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF200R12KT4HOSA1 infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
Verlustleistung: 1.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 156 Stücke:
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