FFSP3065A ON Semiconductor
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| 25+ | 6.39 EUR |
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Technische Details FFSP3065A ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSP3065A nach Preis ab 6.39 EUR bis 18.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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FFSP3065A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC SBD 30A |
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FFSP3065A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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FFSP3065A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; 40W; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Max. load current: 75A Power dissipation: 40W Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.4mm Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 2.4V Leakage current: 0.6mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FFSP3065A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; 40W; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Max. load current: 75A Power dissipation: 40W Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.4mm Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 2.4V Leakage current: 0.6mA |
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