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FFSP3065A

FFSP3065A ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FFSP3065A ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FFSP3065A FFSP3065A onsemi / Fairchild FFSP3065A-D.pdf SiC Schottky Diodes 650V SiC SBD 30A
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FFSP3065A FFSP3065A onsemi ffsp3065a-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V SiC SBD 30A
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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