
FFSP3065A ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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25+ | 5.84 EUR |
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Technische Details FFSP3065A ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSP3065A nach Preis ab 5.84 EUR bis 12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSP3065A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FFSP3065A | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSP3065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSP3065A | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; Ir: 600uA Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 75A Max. forward voltage: 2.4V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.6mA Power dissipation: 40W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FFSP3065A | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; Ir: 600uA Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 75A Max. forward voltage: 2.4V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.6mA Power dissipation: 40W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT |
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