FGA15N120ANTDTU_F109
FGA15N120ANTDTU-F109
Hersteller: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA15N120ANTDTU-F109
Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, IGBT Type: NPT and Trench, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 330 ns, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Power - Max: 186 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 120 nC, Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V.
Preis FGA15N120ANTDTU-F109 ab 4.28 EUR bis 6.97 EUR
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FGA15N120ANTDTU-F109 Hersteller: ON IGBT 1200V 30A 186W Trans. FGA15N120ANTDTU_F109 TO3P TFGA15N120antdu Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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 Hersteller: onsemi Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns IGBT Type: NPT and Trench Supplier Device Package: TO-3P Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Reverse Recovery Time (trr): 330 ns Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Power - Max: 186 W Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 120 nC Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA15N120ANTDTU_F109 Hersteller: FAIRCHILD |
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FGA15N120ANTDTU-F109 Hersteller: ON Semiconductor
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 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors 1200V NPT Trench |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors 1200V NPT Trench
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Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors 1200V NPT Trench
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