FGA25N120ANTDTU-F109
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Technische Details FGA25N120ANTDTU-F109
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P, Power - Max: 312 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 200 nC, Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, IGBT Type: NPT and Trench, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns.
Preis FGA25N120ANTDTU-F109 ab 7.41 EUR bis 10.04 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 
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FGA25N120ANTDTU-F109 Hersteller: ON Semiconductor
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FGA25N120ANTDTU-F109 Hersteller: ONSEMI Material: FGA25N120ANTD-F109 THT IGBT transistors
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FGA25N120ANTDTU_F109 Hersteller: FGA25N120ANTDTU Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A TO-3 |
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FGA25N120ANTDTU_F109 Hersteller: FGA25N120ANTDTU Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A TO-3 |
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FGA25N120ANTDTU-F109 Hersteller: ONSEMI Material: FGA25N120ANTD-F109 THT IGBT transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors Copak Discrete
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FGA25N120ANTDTU-F109 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Hersteller: onsemi Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P Power - Max: 312 W Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Active Gate Charge: 200 nC Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns IGBT Type: NPT and Trench Supplier Device Package: TO-3P Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
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