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| Anzahl | Preis |
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| 100+ | 4.40 EUR |
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Technische Details FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Weitere Produktangebote FGA25N120ANTDTU-F109
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
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