FGA30S120P
verfügbar/auf Bestellung
auf Bestellung 169 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
auf Bestellung 169 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Technische Details FGA30S120P
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 348 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 78 nC, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.
Preis FGA30S120P ab 5.78 EUR bis 7.79 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FGA30S120P Hersteller: ONSEMI Material: FGA30S120P THT IGBT transistors
|
169 Stücke |
|
|
 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors Shorted AnodeTM IGBT
|
auf Bestellung 447 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
FGA30S120P Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FGA30S120P Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors Shorted AnodeTM IGBT
|
auf Bestellung 447 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Power - Max: 348 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Active Gate Charge: 78 nC IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: onsemi Description: IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN Power - Max: 348 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Active Gate Charge: 78 nC IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|