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FGA30S120P

FGA30S120P onsemi

fga30s120p-d.pdf
Hersteller: onsemi
IGBTs Shorted AnodeTM IGBT
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Technische Details FGA30S120P onsemi

Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FGA30S120P FGA30S120P Hersteller : ONSEMI fga30s120p-d.pdf Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGA30S120P Hersteller : ONN fga30s120p-d.pdf
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