FGA50T65SHD

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FGA50T65SHD

Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA50T65SHD

Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN, Power - Max: 319 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, Gate Charge: 87 nC, Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Preis FGA50T65SHD ab 0 EUR bis 0 EUR

FGA50T65SHD
Hersteller: ON Semiconductor

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FGA50T65SHD
FGA50T65SHD
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 50A 650V
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 87 nC
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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